Thạc Sĩ Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất

Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất
3

1 NGHIÊN CỨU NGUYÊN LÝ MẠCH ĐTCS
1.1 Sơ đồ nguyên lý mạch nguồn băm xung

Hình 1: Sơ đồ nguyên lý mạch nguồn băm xung.
 Thành phần nguồn điện xoay chiều đầu vào lấy từ lưới.
Điện áp lưới và dòng điện lưới đều là các tín hiệu liên tục xoay chiều, trong đó có thể chứa
một số sóng hài bậc cao hơn sóng hài cơ bản của lưới. Các sóng hài bậc cao này cần được lọc
trước khi đi qua bộ chỉnh lưu.
 Bộ lọc đầu vào LC
Mạch lọc LC đầu vào gồm 1 tụ điện và một điện cảm được ghép nối như hình vẽ (1).Mạch
lọc có tác dụng loại bỏ các thành phần sóng hài bậc cao hơn sóng hài cơ bản.
 Bộ chỉnh lưu
Điện áp xoay chiều 1 pha sau khi đi qua bộ lọc được đưa tới mạch chỉnh lưu.Mạch chỉnh
lưu được chọn là mạch cầu diode .Tại đây điện áp được chỉnh lưu thành điện áp 1 chiều. Tuy
nhiên điện áp này cùng với dòng điện sau khi qua bộ chỉnh lưu mang nhiều sóng hài bậc cao . Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất
4

 Bộ biến đổi tăng áp boost converter


Hình 2: Boost converter.

Hình 3: Trạng thái khép mạch khi khóa S đóng và khi khóa S mở.
- Chế độ dòng liên tục (  luôn lớn hơn 0)

Khi khoá S đóng, điện áp vào Vi đặt lên cuộn cảm làm cho dòng điện đi qua cuộn
cảm biến đổi một lượng:


Khi khoá S chuyển sang cắt, dòng
 đã tăng thêm 1 lượng là:



Với:

 T là chu kì đóng cắt
 D là % thời gian đóng mạch trong 1 chu kì
Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất
5


Hình 4: Dạng dòng và áp khi boost converter hoạt động ở chế độ liên tục.
Khi khoá S cắt dòng đi qua Diode đến tải và tụ .Coi điện áp rơi trên diode bằng 0 và
tụ đủ lớn để điện áp ra không đổi. Khi đó trên cuộn cảm L có:

Dẫn đến:


Vì bộ chuyển đổi hoạt động ổn định với năng lượng tích trên cuộn cảm sau mỗi chu
kì là không đổi , vậy:

Hay:

Suy ra:


 Như vậy với D khác 0 thì điện áp ra luôn lớn hơn điện áp vào.
Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất
6

- Chế độ dòng không liên tục (
 có lúc bằng 0)

Hình 5: Dạng dòng và áp khi boost converter hoạt động ở chế độ không liên tục.
Lý luận tương tự như ở chế độ liên tục ,tuy nhiên trong 1 chu kì dòng
 về 0 trước thời
điểm T. Dòng đỉnh của
 là:

Khi khoá S mở ,dòng
 giảm về 0 sau thời gian δT nên:

Suy ra

Dòng tải
 bằng dòng trung bình qua diode và bằng dòng
 trung bình ở thời gian van S
mở:

Từ các công thức trên ta có:

Suy ra:

 Như vậy ta luôn có điện áp đầu ra lớn hơn điện áp vào
 Bộ nguồn băm xung trong đồ án này là sự kết hợp của 4 thành phần kể trên. Điện áp
xoay chiều vào sau khi được lọc nhiễu sẽ qua bộ chỉnh lưu để ra điện áp 1 chiều. Điện
áp 1 chiều này đi qua bộ biến đổi tăng áp để đạt được mức điện áp ra mong muốn.
Cũng tại bộ biến đổi boost converter ,hệ số công suất mạch cũng được hiệu chỉnh thông
qua việc điều chỉnh hệ số mở van D. Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất
7

2 TÍNH TOÁN LINH KIỆN CHO MẠCH
 Yêu cầu của bộ nguồn băm xung:
- V in = 90 - 250V , f=50Hz.
- V out = 400V , P =100W , I dm =250mA
- δV out = 2%, ŋ = 99%.
- Hệ số đậpmạch γ = 0.05
2.1 Tính toán mạch lọc LC
- Xét một mạch lọc thông thấp LC:

Hình 6: Mạch lọc thông thấp LC.
- Tính toán hàm truyền:


Từ hàm truyền như trên ,phân tích trên miền tần số ta có tần số cắt của mạch
  =



.
Như vậy với điện áp xoay chiều 50Hz vào ,ta chọn tần số cắt bằng 100Hz suy ra :


= 2*pi* 
=2*pi*100 ≈ 628 (rad/s) =>  = 1.6* 

Vậy mạch lọc LC có thể chọn theo giá trị tính toán trên.
L = 10 mH ; C = 250 àF. Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất
8

2.2 Mạch chỉnh lưu:
Mạch chỉnh lưu sử dụng 4 diode mắc thành hình cầu ,mỗi diode dẫn ½ chu kì điện áp vào
.Dựa vào dòng tải trung bình (250mA) và điện áp ra(400V) cùng với tần số điện áp vào (50Hz)
có thể chọn diode có:
- Dòng trung bình cho phép bằng 1A
- Điện áp ngược lớn nhất bằng 400V
- Không cần để ý tới thời gian phục hồi vì tần số đóng cắt nhỏ.
Dựa vào những đặc điểm trên, ta chọn IC “1000 Volt 2 AMP KBP Bridge Rectifier Diode”
(0.55$ ).
2.3 Mạch Boost converter.

Hình 7: Mạch Boost converter.
2.3.1 Giá trị tụ C.
Coi như dòng vào i(t) đã được điều khiển để có dạng hình sin và cùng pha với điện áp v(t).
như vậy công suất vào:
 (t)=  |sin(ωt)|* |sin(ωt)| =    (1- cos(2ωt))
Coi hệ số chuyển đổi công suất của bộ PFC là  thì công suất đầu ra:
 (t)= !"#  = ŋ   (1- cos(2ωt))
 !"# =
!$%&'!()##

=   -
%&'!()#


Rõ ràng dòng ra gồm 2 thành phần , 1 thành phần cố định tải tiêu thụ và 1 thành phần dòng
qua tụ. Điện áp trung bình trên tụ phải bằng  .
Có độ gợn điện áp ra
* !"# =
$
+
,
%&'!()#

dt =

-+
'./!()01.#
Như vậy với độ gợn điện áp ra tối đa là δV thì tụ cần có độ lớn là:
C =

-2
= 1 (mF) Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất
9

2.3.2 Giá trị cuộn cảm L
Trong đồ án này , chế độ dẫn dòng của L là liên tục . Vì vậy việc tính toán phải theo nguyên
tắc dẫn dòng liên tục (CCM - continuous conduction mode)
Trong chế độ CCM ,có thể coi dòng qua cuộn cảm bị giới hạn bởi 2 tín hiệu hình sin như
sau:
Biên độ dòng gợn theo thời gian :
δi(t) =

3'./() 34
56
(6  là tần số đóng mở van)
2 78=

956

Với công suất đầu ra   và hệ số chuyển đổi công suất là ŋ thì dòng điện vào trung bình là:
 7* !"# =

3'./() 3

=  :;|sinωt|
Vậy dòng vào: i(t) =  7* !"# <
=.!)#


= {


<

3'./() 3
56
(1-

3'./() 3

)}|sinωt|
Vì : i(t) >
{


<

3'./() 3
56
(1-

3'./() 3

)} >
Như vậy 5  >


6
(1-
3'./!-"#3

)
5  >


6
= 15 (mH)
Với độ dự trữ n = 2, ta chọn L = 30 (mH)
2.3.3 Lựa chọn Diode và Mosfet.
Chọn mosfet theo:
 Dòng dẫn : >1 (A)
 Điện áp ngược > 1.41*380 ≈ 550 (V)
 Điện áp cực điều khiển : 15V
 Tần số làm việc > 30 kHZ
Từ các yêu cầu trên, MOSFET được chọn là loại IRFBC40LC có các thông số :
 I d max : 6,20 (A)
 V ds max : 600 (V)
 P d max : 125 (W)
Chọn Diode : Thiết kế hệ thống điều khiển số cho bộ nguồn băm xung có hiệu chỉnh hệ số công suất
10

 Diod lựa chọn dựa vào các thông số :
 Dòng cho phép qua diod : 1 (A)
 Điện áp ngược lớn nhất : U ng.max : 500 (V).
Từ các yêu cầu trên chọn diode 1N4007 có các thông số :
 V BR : 1000 (V).
 I f max : 1 (A)
 V f = 1,1 (V) khi I f = 1(A).
 (U AK có thể lên tới 1,1 V khi I f = 1 (A))