Tiểu Luận Phân tích mạch của một bộ lọc emi cho việc dự đoán từ trường gần phát ra

Thảo luận trong 'Viễn Thông' bắt đầu bởi Quy Ẩn Giang Hồ, 20/4/14.

  1. Quy Ẩn Giang Hồ

    Quy Ẩn Giang Hồ Administrator
    Thành viên BQT

    Bài viết:
    3,084
    Được thích:
    23
    Điểm thành tích:
    38
    Xu:
    0Xu
    Tóm tắt
    Trong bài báo này , một phân tích mạch của bộ lọc nhiễu điện từ được sử dụng khi di chuyển có tốc độ có thể thay đổi, được thực hiện để dự đoán các tần số cộng hưởng của bức xạ từ trường gần nó. Các thông số của bộ lọc được xác định bằng cách đo đạc và mô hình của bộ lọc tích hợp những thông số liên quan. Nó được sử dụng để tính toán trở kháng đầu vào và chức năng truyền đạt của bộ lọc trong các chế độ bình thường và đặc biệt. Song song là việc đo các thông số từ trường gần được thực hiện và tần số cộng hưởng tương ứng của một bức xạ tối đa của chức năng truyền đạt.

    GIỚI THIỆU
    Quét cận trường không được đưa vào trong tiêu chuẩn , ngoại trừ việc phát ra từ IC , nó tạo ra công cụ thuận tiện cho việc mô tả hệ thống phát xạ phức tạp và phân tích nguyên nhân của nhiễu điện từ [ứng dụng của trường gần trong tương thich điện từ-EMC]. Từ việc quét cận trường , các mô hình tương đương có thể được rút ra cho đại diện điện từ trường [Mô hình bức xạ điện từ trong trường gần]. Từ các thông số quét cận trường trên một thiết bị công nghiệp, một bộ chỉnh tốc độ (ASD) đã xác định 3 nguồn bức xạ chính :
    _ Nguồn cung cấp điện cho chuyển mạng nội bộ (SMPS)
    _Nguồn biến áp
    _ Bộ lọc EMI [dùng để xác định nguồn bức xạ trong ổ cứng có tốc độ thay đổi]
    Từ khi bộ lọc EMI nằm ở đầu vào ASD, nó tập trung tất cả các nhiễu của hệ thống Hình 1[Mô hình có chứa bộ lọc EMI trong ổ cứng tốc độ điều chỉnh được]. Phần chính đã bị triệt tiêu trong bộ lọc tuy nhiên một lực lượng nhỏ bức xạ trong từ trường gần từ các thành phần bị ảnh hưởng (chế độ dẫn điện thường CM) và các thành phần liên kết tạo thành bộ lọc. Hậu quả của việc này là phá hủy các chức năng , bộ phận nhạy cảm của hệ thống như cảm biến, các bộ lọc khác , các thiết bị điện mức thấp và nó cũng phát xạ ra trường xa. Do đó, phân tích những ảnh hưởng này đã được đề xuất để khắc phục hoặc hạn chế ảnh hưởng.
    Một chương trình liên quan đến phổ của từ trường gần và dòng điện của từng nguồn riêng biệt đã được phát triển. Nó bao gồm việc thiết lập một mô hình mạch tương đương bao gồm các thành phần ảnh hưởng và xác định tần số cộng hưởng bằng cách phân tích trở kháng. Nó được triển khai cho cả các loại nguồn (SMPS và nguồn biến áp). Theo bộ lọc liên quan, quá trình này được điều chỉnh và đây là mục đích của bài viết này . Nói đơn giản , bộ lọc cùng một lúc với nguồn bức xạ và cũng là nạn nhân của nguồn khác. Và mặt khác, trái với các nguồn khác của từ trường gần của ASD, bộ lọc được thiết kế để hoạt động trong chế độ thông thường và cả chế độ đặc biệt (CM-DM) mà cả 2 trường hợp đều phát ra từ trường gần.
     

    Các file đính kèm:

Đang tải...