Thạc Sĩ Nghiên cứu và lập mô hình mô phỏng thiết bị chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp

Luận văn thạc sĩ năm 2012
Đề tài: NGHIÊN CỨU VÀ LẬP MÔ HÌNH MÔ PHỎNG THIẾT BỊ CHỐNG SÉT LAN TRUYỀN TRÊN ĐƯỜNG NGUỒN HẠ ÁP
Định dạng file word

MỤC LỤC
TÓM TẮT ĐỀ TÀI Trang i
ABSTRACT . Trang ii
DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT . Trang vii
DANH MỤC CÁC BẢNG Trang viii
DANH MỤC CÁC HÌNH Trang ix
CHƯƠNG: MỞ ĐẦU Trang 1
1. ĐẶT VẤN ĐỀ .Trang 1
2. MỤC TIÊU VÀ NHIỆM VỤ CỦA LUẬN VĂN .Trang 2
3. PHẠM VI NGHIÊN CỨU .Trang 3
4. CÁC BƯỚC TIẾN HÀNH Trang 3
5. ĐIỂM MỚI CỦA LUẬN VĂN .Trang 3
6. GIÁ TRỊ THỰC TIỄN CỦA LUẬN VĂN Trang 4
7. BỐ CỤC LUẬN VĂN .Trang 4
CHƯƠNG 1:TỔNG QUAN VỀ CHỐNG SÉT LAN TRUYỀN
TRÊN ĐƯỜNG NGUỒN HẠ ÁP .Trang 5
1.1. GIỚI THIỆU Trang 5
1.2 .TẦN SUẤT XUẤT HIỆN SÉT Trang 6
1.3. DẠNG XUNG SÉT .Trang 7
1.3.1.Dạng sóng 10/35µs .Trang 7
1.3.2.Dạng sóng 8/20µs Trang 8
1.4. BIÊN ĐỘ XUNG SÉT Trang 9
1.5 CÔNG NGHỆ CHỐNG SÉT LAN TRUYỀN TRÊN
ĐƯỜNG NGUỒN HẠ ÁP Trang 10
1.5.1. Khe phóng điện (Spark Gap) Trang 10
1.5.2. MOV (Metal Oxide Varistor) .Trang 13
1.5.3. SAD (Silicon Avalanche Diode) Trang 13
1.5.4. TDS (Transient Discriminating Suppressor) .Trang 14
1.6 CÁC THIẾT BỊ CHỐNG SÉT LAN TRUYỀN TRÊN ĐƯỜNG
CẤP NGUỒN HẠ ÁP . Trang 15
1.6.1.Thiết bị cắt sét .Trang 15
1.6.2 .Thiết bị lọc sét Trang 16
1.7. CÁC TIÊU CHUẨN TRONG BẢO VỆ QUÁ ÁP Trang 17
1.7.1. Bảo vệ quá áp theo ANSI/IEEE Trang 17
1.7.2. Bảo vệ quá áp theo IEC Trang 17
1.7.3. Hệ thống bảo vệ chống sét hạ áp Trang 19
CHƯƠNG 2: MÔ HÌNH NGUỒN PHÁT XUNG SÉT .Trang 22
2.1 GIỚI THIỆU .Trang 22
2.2. GIỚI THIỆU PHẦN MỀM MATLAB . Trang 23
2.2.1. Định nghĩa Trang 23
2.2.2. Cài đặt Matlab Trang 24
2.2.2.1. Yêu cầu của phần mềm .Trang 24
2.2.2.2. Các bước cài đặt .Trang 24
2.2.2.3. Khởi động chương trình Matlab Trang 24
2.2.3. Các khối sử dụng trong mô hình .Trang 27
2.2.4. Giới thiệu công cụ Curve Fitting Toolbox Trang 29
2.3. XÂY DỰNG MÔ HÌNH NGUỒN PHÁT XUNG SÉT .Trang 34
2.3.1Các dạng xung không chu kỳ chuẩn .Trang 34
2.3.2 Xây dựng mối liên hệ giữa các thông số trong mô hình .Trang 36
2.3.2.1Giữa tỉ số t2/t1 và b/a . Trang 37
2.3.2.2 Giữa tỉ số b/a và at1 Trang 40
2.3.2.3.Giữa tỉ số I1/I và b/a Trang 42
2.3.3 Xây dựng mô hình nguồn phát xung Trang 42
2.3.3.1.Xây dựng sơ đồ khối .Trang 42
2.3.3.2 Thực hiện mô phỏng Trang 44
2.4 KẾT LUẬN . Trang 47
CHƯƠNG 3: MÔ HÌNH BIẾN TRỞ OXIDE KIM LOẠI .Trang 48
3.1 GIỚI THIỆU . Trang 48
3.2 MÔ HÌNH ĐIỆN TRỞ PHI TUYẾN . Trang 48
3.2.1 Mô hình toán . Trang 48
3.2.2 Cấu trúc mô hình .Trang 49
3.3 MÔ HÌNH MOV CỦA MATLAB .Trang 50
3.3.1 Mô hình .Trang 50
3.3.2 Nguyên lý làm việc của mô hình Trang52
3.4 MÔ HÌNH MOV HẠ THẾ .Trang 53
3.4.1Cấu trúc cơ bản của mô hình MOV hạ thế Trang 53
3.4.2 Mô hình điện trở phi tuyến trên Matlab Trang 55
3.4.3 Mô hình MOV hạ thế trên Matlab Trang 56
3.4.4 Kiểm tra đáp ứng mô hình MOV với mô hình xung
dòng 8/20µs Trang 59
3.5 KẾT LUẬN .Trang 65
CHƯƠNG 4: MÔ HÌNH KHE HỞ PHÓNG ĐIỆN
KHÔNG KHÍ Trang 66
4.1. MÔ HÌNH KHE HỞ PHÓNG ĐIỆN
KHÔNG KHÍ SPARK GAP .Trang 66
4.1.1.Mô hình Spark Gap đơn giản .Trang 66
4.1.2. Xây dựng sơ đồ khối mô hình Spark Gap Trang 68
4.1.3. Mô phỏng mô hình Spark Gap Trang 71
4.2. MÔ HÌNH KHE HỞ PHÓNG ĐIỆN TỰ KÍCH TRIGGERED SPARK
GAP Trang 78
4.2.1. Mô hình Triggered Spark Gap .Trang 78
4.2.2. Mô phỏng mô hình Triggered Spark Gap Trang 79
CHƯƠNG 5: CÁC YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG ĐẾN BẢO VỆ CHỐNG
SÉT LAN TRUYỀN TRÊN ĐƯỜNG NGUỒN HẠ ÁP Trang 84
5.1 GIỚI THIỆU .Trang 84
5.2. CÔNG NGHỆ CHỐNG SÉT Trang 85
5.2.1. TBBV sử dụng công nghệ SG Trang 86
5.2.2. TBBV sử dụng công nghệ TSG .Trang 90
5.2.3. TBBV sử dụng công nghệ MOV .Trang 92
5.2.4. So sánh hiệu quả bảo vệ của công nghệ SG, TSG, MOV .Trang 93
5.3. PHỐI HỢP BẢO VỆ QUÁ ÁP .Trang 96
5.3.1.Phối hợp bảo vệ quá áp hai tầng .Trang 96
5.3.1.1. Trường hợp 1 (TBBV tầng 1 sử dụng TSG,
tầng 2 sử dụng MOV) Trang 97
5.3.1.2. Trường hợp 2 (TBBV tầng 1 sử dụng MOV,
tầng 2 sử dụng MOV2) Trang 99
5.3.1.3. Trường hợp 3 (TBBV tầng 1 sử dụng SG,
tầng 2 sử dụng MOV) Trang 102
5.3.1.4. So sánh hiệu quả bảo vệ của 3 trường hợp phối hợp bảo vệ
hai tầng Trang 103
5.3.2. Phối hợp bảo vệ quá áp 3 tầng . Trang 105
5.3.3. So sánh hiệu quả bảo vệ của hai trường hợp phối hợp bảo vệ
hai tầng và ba tầng .Trang 108
5.4. ẢNH HƯỞNG CỦA THIẾT BỊ LỌC SÉT . Trang 109
5.4.1. Trường hợp 1 (bảo vệ một tầng + thiết bị lọc sét) Trang 109
5.4.2. Trường hợp 2 (phối hợp bảo vệ hai tầng +
thiết bị lọc sét) Trang112
5.5.NHẬN XÉT Trang 114
CHƯƠNG 6: KẾT LUẬN . Trang 115
6.1 KẾT LUẬN . Trang 115
6.2 HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA ĐỀ TÀI . Trang 117
Tài liệu tham khảo . Trang 118
Phụ lục

TÓM TẮT ĐỀ TÀI
Hiện nay, trên thị trường có n hiều loại thiết bị bảo vệ chống sét lan truyền
trên đường nguồn (TBBV) của các hãng sản xuất khác nhau với các công nghệ đa
dạng. Việc lựa chọn TBBV có hiệu quả bảo vệ cao ở mức ít tốn kém nhất, thường
gặp nhiều khó khăn vì các nhà sản xuất thường cung cấp các thông tin liên quan đến
ưu điểm về sản phẩm mà không đề cập đến các nhược điểm. Vì vậy, cần nhận biết
và đánh giá các tính năng kỹ thuật quan trọng nhất và loại bỏ các thông tin không
quan trọng, thậm chí có thể gây lầm lẫn trong việc ra quyết định lựa chọn TBBV là
yêu cầu bức thiết. Các thông số kỹ thuật được xem xét để đánh giá thiết bị bảo vệ
bao gồm: mức chịu quá áp lâu dài, điện áp thông qua, giá trị xung, tuổi thọ, tốc độ
đáp ứng, khả năng tản năng lượng sét, công nghệ. Trong các thông số trên, thông số
điện áp thông qua là quan
trọng nhất.
Luận văn này dựa vào thông số điện áp thông qua nhằm đánh giá, so sánh khả
năng bảo vệ của TBBV. Từ đó rút ra các yếu tố ảnh hưởng đến bảo vệ chống sét lan
truyền trên đường nguồn hạ áp nhằm tối ưu hóa các tính năng bảo vệ và nâng cao
độ tin cậy trong quá trình vận hành. Các yếu tố ảnh hưởng này bao gồm: công nghệ
chống sét, sự lựa chọn phối hợp bảo vệ của các TBBV và đánh giá hiệu quả bảo vệ
của các thiết bị lọc sét.
Luận văn bao gồm các nội dung chính sau đây:
1. Tổng quan về bảo vệ chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp.
2. Nghiên cứu mô hình nguồn phát xung sét tiêu chuẩn.
3. Nghiên cứu mô hình biến trở Oxide kim loại MOV.
4. Nghiên cứu mô hình khe hở phóng điện không khí SG và mô hình khe
hở phóng điện tự kích TSG.
5. Các yếu tố ảnh hưởng đến bảo vệ chống sét lan truyền trên đường
nguồn hạ ap.
6.Kết luận
ABSTRACT
Currently, the marker has many types of lightning protection equipment (LPE)
spread over power lines, protective devices of different manufacturers with various
technologies. The highly effective selection of LPE at the least cost is usually
difficult because manufacturers often provide information which related to product
advantages without the disadvantages mentioned. So it is necessary to recognize
and evaluate the most, important technologies features and remove the most
important information and maybe even misleading in the selection decision is

urgent need. The specifications

parameters are reviewed to assess protection

equipment including long-term rate under surge, voltage, pulse value, longevity,
speed of response, ability to dissipate the lightning energy, technology. In the above
parameters, passed voltage parameters is the most important.
This paper is based on the passed voltage parameters in order to evaluate,
compare to the ability protection of LPE. From that draws elements affect lightning
protection on low voltage source to optimize the security features and enhanced
reliability during operation. These factors include: lightning protection technology,
the choice of the protection coordination and the evaluation of assest protective
effect of the clay filter.
Thesis includes the following main contents:
1. Overview of lightning protection spread over low voltage source.
2. Research the standard lightning impulse source model.
3. Research rheostat model MOV (Metal Oxide Varistor)
4. Research the discharge air gap SG (Spark Gap) model and the discharge
gap model it self click TSG (Trigger Spark Gap)
5. Research the elements affect to the lightning protection spread over low
voltage source.
6. Conclusion
CHƯƠNG

MỞ ĐẦU

1.ĐẶT VẤN ĐỀ:
Theo ước tính của các nhà chuyên môn, trên khắp mặt địa cầu, cứ mỗi giây, có
khoảng 100 lần sét đánh xuống mặt đất. Sét không những có thể gây thương vong
cho con người mà còn có thể phá hủy những tài sản của con người như các công
trình xây dựng, công trình cung cấp năng lượng, hoạt động hàng không, các thiết bị
dùng điện, các Đài Truyền Thanh – Truyền Hình, các hệ thống thông tin liên lạc.
Việt Nam là một nước nằm trong khu vực nhiệt đới ẩm, khí hậu Việt Nam rất
thuận lợi cho việc phát sinh, phát triển của dông sét. Số ngày dông có ở Việt Nam
trên nhiều khu vực thuộc loại khá lớn. Số ngày dông cực đại là 113,7 (tại Đồng
Phú), số giờ dông cực đại là 433,18 giờ tại Mộc Hóa. Sét có cường độ mạnh ghi
nhận được bằng dao động ký tự động có biên độ Imax = 90,67kA (Số liệu của Viện
Nghiên Cứu Sét Gia sàng Thái Nguyên).
Hằng năm, ngành điện Việt Nam có khoảng vài ngàn sự cố, 50% trong số đó là
do sét gây ra. Đặc biệt ngày 4/6/2001, sét đánh nổ một máy cắt 220kV của nhà máy
thủy điện Hòa Bình. Sự cố khiến lưới điện miền Bắc bị tan rã mạch, nhiều nhà máy
bị tách ra khỏi hệ thống.
Hiện nay, chống sét trực tiếp đã được tương đối với các giải pháp từ cổ điển (kim
Franklin, lồng Faraday, kết hợp kim lồng) đến hiện đại (kim thu sét phóng điện sớm
– hệ thống SYSTEM 3000 của hãng Erico Ligthning Technologies). Tuy nhiên,
theo thống kê hơn 70% hư hỏng do sét gây ra lại do sét đánh lan truyền cảm ứng
theo đường cấp nguồn và đường truyền tín hiệu. Do việc chống sét lan truyền chưa
được quan tâm một cách đầy đủ nên thiệt hại do sét lan truyền gây ra rất lớn do thiết
bị bị phá hỏng hay ngừng dịch vụ. Vì vậy, việc đề ra các giải pháp và cung cấp các
thiết bị chống sét lan truyền theo công nghệ mới là cấp bách và cần thiết.
Một thực tế nữa là ở Việt Nam các mô hình thử nghiệm hay nguồn phát xung sét
chưa có hoặc đã có nhưng được giữ bản quyền bởi các hãng sản xuất thiết bị chống
sét nước ngoài nên việc đánh giá các thiết bị chống sét lan truyền nói riêng còn hạn
chế. Do đó, cần phải dựa vào các phần mềm mô phỏng để đánh giá các phần tử của
thiết bị chống sét thay cho các mô hình cụ thể. Ngoài ra, khi mô phỏng bằng phần
mềm kết quả có độ tin cậy và chính xác cao.
Luận văn này dựa trên việc nghiên cứu mô hình các thiết bị chống sét quá áp,
các mô hình nguồn phát xung sét tiêu chuẩn, từ đó thành lập các mô hình và mô
phỏng để so sánh, đánh giá và rút ra các yếu tố ảnh hưởng hiệu quả ảnh hưởng đến
hiệu quả bỏa vệ và nâng cao độ tin cậy trong quá trình vận hành. Các yếu tố ảnh
hưởng này bao gồm công nghệ chống sét, sự lựa chọn phối hợp bảo vệ của các thiết
bị chống quá áp và đánh giá hiệu quả bảo vệ của các thiết bị lọc sét.
2.MỤC TIÊU VÀ NHIỆM VỤ CỦA LUẬN VĂN
Mục tiêu của luận văn là tìm ra các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu quả bảo vệ chống
sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp đối với một tòa nhà nằm trong khu vực nội
thành nhằm tối ưu hóa các tính năng bảo vệ và nâng cao độ tin cậy trong quá trình
vận hành. Cụ thể luận văn có các nhiệm vụ như sau:
- Nghiên cứu các tiêu chuẩn chống sét lan truyền và mô hình nguồn xung sét
tiêu chuẩn.
- Nghiên cứu cấu tạo và mô hình biến trở Oxide kim loại MOV (Metal Oxide
Varistor).
- Nghiên cứu cấu tạo và mô hình khe hở phóng điện không khí Spark Gap.
- Nghiên cứu cấu tạo và mô hình khe hở phóng điện tự kích Trigger Spark
Gap.
- Lập mô hình so sánh hiệu quả bảo vệ của các thiết bị cắt sét sử dụng các
công nghệ khác nhau.
- Lập mô hình lựa chọn phối hợp bảo vệ của các thiết bị chống quá áp.
- L ập mô hình đánh giá ảnh hưởng của thiết bị lọc sét.
- So sánh đánh giá và rút ra kết luận.
3.PHẠM VI NGHIÊN CỨU
- Nghiên cứu cấu tạo, tính năng, phối hợp bảo vệ của các thiết bị chống sét lan
truyền trên đường nguồn hạ áp.
- Tìm hiểu các tiêu chuẩn chống sét trong và ngoài nước.
- Sử dụng phần mềm Matlab xây dựng mô hình hóa mô phỏng.
- Mô hình thử nghiệm là một tòa nhà nằm trong khu vực nội thành.
4.CÁC BƯỚC TIẾN HÀNH
- Thu thập, chọn lọc tài liệu liên quan cần thiết.
- Tổng hợp và phân tích các tài liệu sau khi đã chọn lọc.
- Khảo sát các ứng dụng bổ trợ của phần mềm dự kiến thực hiện.
- Nghiên cứu các tiêu chuẩn chống sét trong và ngoài nước.
- Khảo sát các dạng thiết bị chống sét lan truyền.
- Nghiên cứu cấu tạo, các phần tử cấu thành thiết bị chống sét lan truyền hạ áp.
- Nghiên cứu mô hình đơn giản phần tử SG (Spark Gap).
- Nghiên cứu mô hình phần tử MOV (Metal Oxide Varistor).
- Nghiên cứu mô hình phần tử Trigger Spark Gap).
- Lập mô hình mô phỏng.
- Đánh giá, kết luận, rút ra các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu quả bảo vệ chống
sét lan truyền trên đường cấp nguồn hạ áp.
5. ĐIỂM MỚI CỦA LUẬN VĂN
- Lập mô hình so sánh hiệu quả bảo vệ của các thiết bị cắt sét sử dụng công
nghệ khác nhau.
- Lập mô hình phối hợp bảo vệ của các thiết bị chống quá áp.
- Lập mô hình đánh giá ảnh hưởng thiết bị lọc sét.
6. GIÁ TRỊ THỰC TIỄN CỦA LUẬN VĂN
Đề tài dự kiến sẽ đạt được những kết quả mang tính thực tiễn như sau:
- Kết quả nghiên cứu phần nào đáp ứng công tác nghiên cứu lựa chọn, phối
hợp và kiểm tra hiệu quả các thiết bị bảo vệ chống sét lan truyền trên đường
nguồn hạ áp một cách chính xác trong điều kiện thiếu phòng thí nghiệm như
hiện nay.
- Cung cấp một công cụ mô phỏng hữu ích cho những ai quan tâm đến việc
nghiên cứu đáp ứng của thiết bị chống sét dưới tác dụng của xung sét lan
truyền và đánh giá hiệu quả của các hệ thống bảo vệ chống sét lan truyền trong
các công trình.
- Tối ưu hóa các tính năng bảo vệ của thiết bị chống sét và nâng cao độ tin cậy
trong quá trình vận hành đối với việc bảo vệ chống sét lan truyền trên đường
nguồn hạ áp cho một tòa nhà cao tầng.
- Đề tài có khả năng phát triển những cấp nghiên cứu cao hơn trong điều kiện
cho phép.
7. BỐ CỤC LUẬN VĂN
Chương Mở đầu
Chương 1: Tổng quan chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp.
Chương 2: Mô hình nguồn phát xung sét.
Chương 3: Mô hình biến trở Oxide kim loại MOV.
Chương 4: Mô hình khe hở phóng điện không khí.
Chương 5: Các yếu tố ảnh hưởng đến bảo vệ chống sét lan truyền trên đường
nguồn hạ áp.
Chương Kết luận
Tài liệu tham khảo
Phụ lục

CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN VỀ CHỐNG SÉT LAN TRUYỀN
TRÊN ĐƯỜNG NGUỒN HẠ ÁP
1.1. GIỚI THIỆU
Hiện nay, các thiết bị sử dụng công nghệ bán dẫn ngày càng được sử dụng phổ
biến trong hệ thống điện. Các phần tử bán dẫn này rất nhạy cảm với các hiện
tượng quá áp có thể xuất hiện trong hệ thống điện phân phối xoay chiều.
Quá áp trong mạch điện xoay chiều có thể gây ra sự hư hỏng vĩnh cữu hay tạm
thời của các phần tử điện – điện tử và hư hỏng kể cả hệ thống điện. Việc bảo vệ
chống lại quá áp quá độ có thể thực hiện bằng cách sử dụng các phần tử được
thiết kế đặc biệt mà nó sẽ giới hạn biên độ của quá áp bằng một trở kháng lớn nối
tiếp hay bằng một trở kháng nhỏ mắc shunt.
Trong đó, quá áp quá độ là kết quả của sự phóng thích đột ngột năng lượng tồn
tại trước đó từ các điều kiện tự nhiên như sét đánh hoặc điều kiện phát sinh từ
việc đóng cắt tải có tính cảm hay việc phóng điện các điện cực. Các hư hỏng gây
ra bởi hiện tượng quá áp phụ thuộc vào tần xuất hiện, giá trị đỉnh và dạng sóng
của quá áp.
Sóng quá điện áp có dạng sóng xung gia tăng đột ngột (do sét hay do các thao
tác đóng cắt có tải trên lưới) và có khả năng gây hư hỏng các thiết bị, mạng máy
tính, các thiết bị trong mạng viễn thông mà trong vấn đề vận hành rất khó phát
hiện, đặc biệt là các thiết bị điện tử rất nhạy cảm.
Một trong các thông số cần quan tâm khi thiết kế và lựa chọn thiết bị chống
sét lan truyền trên đường nguồn và đường tín hiệu là tần suất xuất hiện sét, dạng
sóng và xung sét lan truyền.
1.2 . TẦN SUẤT XUẤT HIỆN SÉT
Mối quan hệ tần suất xuất hiện sét theo biên độ dòng sét được trình bày ở
Hình 1.2.

Tài Liệu Tham Khảo

1. Đỗ Quang Đạo – Luận văn Thạc sĩ – Nghiên cứu và mô phỏng ảnh hưởng của quá áp do sét
trên đường nguồn hạ áp – 2006.
2. Lê Quốc Dân – Ban Viễn Thông, Phạm Hồng Mai–TTTTBĐ – Chống sét cho mạng viễn
thông Việt Nam – Những điều bất cập.
3. Nguyễn Cao Cường – Luận văn Thạc sĩ – Nghiên cứu và lập mô hình mô phỏng hệ thống
bảo vệ quá điện áp trên đường nguồn hạ áp – 2005.
4. Mai Thanh Sơn – Luận văn Thạc sĩ – So sánh hiệu quả bảo vệ quá điện áp 2 tầng & 3 tầng
trên đường nguồn hạ áp – 2008.
5. Nguyễn Hoàng Minh Vũ – Luận văn Thạc sĩ – Lập mô hình mô phỏng các phần tử phi
tuyến của thiết bị chống sét hiện đại trên đường cấp nguồn hạ áp và đường tín hiệu – 2003.
6. TS. Quyền Huy Ánh – Bảo vệ chống sét lan truyền trên đường cấp nguồn và tín hiệu – Tạp
Chí Khoa Học Công Nghệ.
7. TS. Quyền Huy Ánh – Chỉ tiêu đánh giá thiết bị chống xung quá áp – Tập san Sư Phạm Kỹ
Thuật số 11.
8. TS. Quyền Huy Ánh – Khe phóng điện tự kích – TSG (Trigger Spark Gap) – Tập san Sư
Phạm Kỹ Thuật số 13.
9. TS. Quyền Huy Ánh – Phân tích công nghệ MOV và SAD trong bảo vệ chống sét lan truyền
– Tạp Chí Bưu chính Viễn Thông.
10.TS. Quyền Huy Ánh – Thiết bị chống sét lan truyền trên đường cấp nguồn – Tạp Chí Bưu
chính Viễn Thông.
11.TS. Quyền Huy Ánh – Thiết bị chống sét lan truyền trên đường cấp nguồn
theo công nghệ TDS – Tạp Chí Bưu chính Viễn Thông.
12.TCN 68 – 135: 1995 Chống sét bảo vệ các công trình viễn thông.
13.TCN 68 – 140: 1995 Chống quá áp, quá dòng để bảo vệ đường dây và thiết
bị thông tin.
14.TCN 68 – 174: 1998 Quy phạm chống sét và tiếp đất cho các công trình
Viễn Thông.
15.TS. Nguyễn Văn Dũng, TS. Bùi Thanh Giang, KS. Nguyễn Thị Tâm, KS. Nguyễn Minh
Tuấn, KS. Vũ Hồng Sơn, KS. Đinh Hải Đăng – Sét và chống sét bảo vệ công trình Viễn thông
– Nhà xuất bản Bưu điện – 2001.
16.Arshad Mansoor, Francois D. Martzloff – Driving high surge currents into long cable: more
begete less – IEEE – 1997.
17.CCITT – The protection of telecomm lines & equipment against lightning discharges,
Chapter 1, 2– 1974.
18. CEI/IEC 61643:1998–02 Norme internationale – international standard Surge protective
devices connected to low–voltage power distribution systems – Part
1: Performance requirements and testing method.
19.Dr. Bonnell – Physiscal Property of Ceramic _ Zinc Oxide Varistor 1995.
20.GLT overview of surge arrester co–ordination for lighting protection of low voltage power
circuit – Global Lighting Technologies Ltd.
21.How to select the best value surge & transeint protection for your mains equiment,
Warwich Beech – Erico Lighting Technologies Ltd
22. IEEE Recommended Practice on Surge Voltages in Low–Voltage AC Power Circuits,
ANSI/IEEE Std. C62.41–1991.
23. IEEE W.G 3.4.11 Modeling of metal oxide surge arrester – IEEE 1992.
24. Jinliang He, Zhiyong Yuan, Jing Xu, Shuiming Chen, Jun Zou, and Rong Zeng –
Evaluation of the Effective Protection Distance of Low–Voltage SPD to Equipment – 2005.
25. L.A Kraff – Modeling Lighting Performance of Transmission System Using Pspice, IEEE
– 1991.
26. Littelfuse Varistors – Basic properties terminology and theory –AN9767.1– 1999.
27.Manfrad Holzer, Willi Zapsky – Simulation varistor with Pspice.
28. P. M. Wherrett, C. J. Kossmann and J. R. Gumley – New techniques for designing surge
protection devices, Erico Lightning Technologies Hobart, Australia.
29. P. Pinceti, M. Giannettoni, A simplified model for zinc oxid surge arrester,IEEE – 1999.
30.Phisical properties of zinc oxide varistors, ABB Power Technology Products.
31. Roger C. Dugan, Mark F. McGranaghan, Surya Santoso, H. Wayne Beauty – Electrical
Power Systems Quality – McGraw–Hill – Chapter 4 – 2003.
32. Roy B.Carpenter, Dr. Yinggang Tu – The secondary effects of lighting activity, Lighting
Eliminators and Consultants, USA.
33. S. G. Fedosin, A. S. Kim – The physical theory of ball lightning, Perm State University,
Perm, Russia
34.Surge Protection Products – Erico Lighting Technologies Ltd.
35. Technical Note – TNCR 001,002, 015 – Erico Lighting Technologies Ltd.
36. Trainsient Voltage Suppression maual, Third Edition – General Electric Company – 1982,
USA – Marvin W.Smith, Michael D. McCormick.
37. Transeint voltage suppressor diodes – Semitron Company.
38. Transeint voltage surge suppression design and correlation, Marcus O. Durham, Karen D.
Durham, Robert A. Durham – Member IEEE
39. Zinc oxide varistor – AVX A Kyocera Group Company Siemens Matsushita Components–
Metal OxideVaristor–Data Book – 1997.
40.Một số trang web: www.abb.com; www.avx.com; www.littelfuse.com;
www.PScad.com;