Thạc Sĩ Nghiên cứu quá trình tán xạ trong cntfet loại đồng trục

MỞ ĐẦU

Nếu Thế kỷ 20 được coi là cuộc cách mạng về công nghệ thông tin thì Thế kỷ 21 sẽ thuộc về công nghệ nano. Trong đó điện tử nano là một lĩnh vực đang được nghiên cứu rất mạnh. Bên cạnh đó, sự phát triển của công nghệ máy tính trở nên mạnh hơn và tinh vi hơn, đòi hỏi mật độ tích hợp cực kỳ cao trong vi mạch. Vì vậy các Transistor ngày càng nhỏ hơn. Theo báo cáo của hiệp hôi công nghệ bán dẫn quốc tế (SIA’s International Technology Roadmap for Semiconductor, ITRS), kích thước của Transistor có thể xuống dưới 100 nm (cỡ 30 nm – 50 nm) tới năm 2014. Thực tế hiện nay các công ty chế tạo chip đã chuyển sang quy trình 45 nm. Hiện nay Intel đã dùng công nghệ 32 nm và 23 – 9 – 2009 đã trình diễn chip công nghệ 22 nm. Luận văn này được xây dựng thuộc lĩnh vực công nghệ điện tử Nano, nghiên cứu về Transistor trường dùng ống Nano cacbon được dùng làm kênh dẫn cho mô hình của FET, thay thế cho cấu trúc vật liệu bán dẫn trước đây, Rất nhiều tác giả đã và đang có nhiều công trình nghiên cứu về vấn đề này như: Jing Guo, Reid, Shengdong Li Họ xây dựng mô hình, mô phỏng các đặc tính và thậm chí là chế tạo thành công CNTFET.

Mục tiêu của đề tài là nghiên cứu, mô phỏng đi sâu vào các đặc tính về dòng và thế của CNTFET loại đồng trục dưới tác động của nhiêu thông số khác nhau của ống Nano cacbon đến quá trình tán xạ.
Tác giả dùng giao diện GUI trong phần mềm MatLab, để tính toán và mô phỏng một số đặc tính của Transistor trường dùng ống Nano cacbon (CNTFET).

Tác giả xây dựng phương pháp hàm Green là cơ sở để mô phỏng cho linh kiện CNTFET.
Hiện nay việc tiếp cận với quy trình chế tạo linh kiện kích thước thang Nanomet vẫn còn gặp nhiều khó khăn. Việc khai thác các tính chất vật lý của các vật liệu mới cho việc chế tạo linh kiện, đưa vào tính toán xây dựng mô phỏng linh kiện thực là vấn đề đặt ra và tìm hướng giải quyết tối ưu. Mô hình giới thiệu trong đề tài chỉ xem xét và thử nghiệm các giá trị mô phỏng thường ứng dụng trong thực tế, nhất là vấn đề độ dài của kênh dẫn dưới 20 nm sẽ bị tán xạ, nhiệt độ, biến thiên độ rộng, độ dài của kênh dẫn, ảnh hưởng độ dày của cổng oxit và vật liệu chọn để làm nguồn, máng

Tác giả hi vọng, từ những kết quả khoa học nhận được trong việc mô phỏng các đặc tính của CNTFET đồng trục, đề tài sẽ góp phần vào việc chế tạo thành công các CNTFET ở nước ta trong tương lai.