Tiến Sĩ Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chức năng nano ZnO đến hoạt động của pin mặt trời màng mỏng glass/TCO/n

LUẬN ÁN TIẾN SĨ
NĂM 2014

Mục lục
Danh mục ký hiệu và chữ viết tắt 4
Danh mục các bảng . 7
Danh mục các hình vẽ, đồ thị . 8
MỞ ĐẦU . 12
CHƯƠNG I TỔNG QUAN TÀI LIỆU 16
1.1 Năng lượng mặt trời - nguồn năng lượng của tương lai . 16
1.2 Hiệu ứng PV (PhotoVoltaic Effect) và linh kiện quang điện sử dụng hiệu ứng PV 19
1.3 Cơ sở vật lý của pin mặt trời 21
1.3.1 Nguyên lý hoạt động 21
1.3.2 Đặc trưng J-V 21
1.4 Pin mặt trời màng mỏng chalcopyrite . 29
1.4.1 Cấu trúc của pin mặt trời màng mỏng chalcopyrite 29
1.4.2 Vật liệu chalcopyrite . 30
1.5 Pin mặt trời màng mỏng cấu trúc nano . 32
1.5.1 Các tính chất cơ bản của vật liệu cấu trúc nano . 32
1.5.2 Giản đồ năng lượng của pin mặt trời cấu trúc nano 36
1.5.3 Các cấu hình pin mặt trời cấu trúc nano . 37
1.6 Vật liệu kẽm oxide (ZnO) 38
1.6.1 Vật liệu ZnO 38
1.6.2 Công nghệ lắng đọng các lớp chức năng của pin mặt trời . 41
Kết luận chương 45
CHƯƠNG 2 NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ LẮNG ĐỌNG CÁC LỚP CHỨC NĂNG
TRONG CẤU TRÚC PMT MÀNG MỎNG . 46
2.1 Nghiên cứu lắng đọng màng nano ZnO bằng phương pháp USPD 47
2.1.1 Thực nghiệm . 47
2.1.1.1 Chuẩn bị hóa chất 47
2.1.1.2 Lắng đọng màng nano ZnO . 48
2.1.2 Kết quả và thảo luận . 48
2.1.2.1 Lựa chọn dung môi . 48
2.1.2.2 Ảnh hưởng của các anion . 53
2.1.2.3 Ảnh hưởng của nhiệt độ lắng đọng . 57
2.1.2.4 Ảnh hưởng của loại đế 62
2.1.2.5 Ảnh hưởng của tốc độ lắng đọng . 65
2.1.2.6 Ảnh hưởng của nồng độ muối kẽm . 67
2.1.2.7 Ảnh hưởng của sự pha tạp In và Al . 69
2.2 Nghiên cứu lắng đọng lớp hấp thụ CuInS2 bằng phương pháp USPD . 73
2.2.1 Chuẩn bị hóa chất . 73

2.2.2 Lắng đọng màng CuInS2 . 73
2.2.3 Kết quả và thảo luận . 74
2.3 Nghiên cứu lắng đọng lớp đệm CdS bằng phương pháp USPD-ILGAR . 78
2.3.1 Tại sao lại cần lớp đệm trong pin mặt trời màng mỏng 78
2.3.2 Màng CdS 78
2.3.3 Lắng đọng lớp đệm nano CdS bằng phương pháp USPD-ILGAR . 79
2.3.3.1 Chuẩn bị hóa chất 79
2.3.3.2 Thực nghiệm 79
2.3.4 Kết quả và Thảo luận . 79
CHƯƠNG 3 KHẢO SÁT CÁC PHÂN BIÊN ZnO/CdS VÀ CdS/CuInS2
BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHỔ TRỞ KHÁNG PHỨC CIS 84
3.1 Phương pháp phổ trở kháng phức CIS 84
3.2 Ứng dụng phương pháp phổ trở kháng phức để nghiên cứu các linh kiện cấu trúc lớp 86
3.3 Thực nghiệm 88
3.3.1 Chuẩn bị mẫu . 88
3.3.2 Khảo sát các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 . 88
3.4 Kết quả và thảo luận . 90
3.4.1 Khảo sát phổ CIS của hệ vật liệu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Ag 90
3.4.2 Mô hình hóa hệ vật liệu Ag/ITO/ZnO/CdS/CuInS2/Ag 90
Kết luận chương . 100
CHƯƠNG 4 THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO THỬ NGHIỆM PIN MẶT TRỜI CẤU TRÚC NANO HỆ GLASS/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2 . 101
4.1 Thiết kế pin mặt trời cấu trúc lớp kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me 101
4.1.1 Mô hình số .101
4.1.2 Chương trình mô phỏng SCAPS
4.1.3 Thiết kế pin mặt trời màng mỏng cấu trúc nano 104
4.1.3.1 Lựa chọn cấu trúc 104
4.2 Chế tạo pin mặt trời màng mỏng cấu trúc Glass/ ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me 113
4.2.1 Đặc trưng quang điện của pin mặt trời màng mỏng hệ Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2 . 115
4.2.1.1 Ảnh hưởng của chiều dày lớp hấp thụ CuInS2 . 115
4.2.1.2 Ảnh hưởng của lớp cửa sổ nano ZnO . 118
Kết luận chương . 119
KẾT LUẬN 121
TÀI LIỆU THAM KHẢO 122
Danh mục các công trình đã công bố của Luận án . 134
Phụ lục 134


Mục lục
Danh mục ký hiệu và chữ viết tắt 4
Danh mục các bảng . 7
Danh mục các hình vẽ, đồ thị . 8
MỞ ĐẦU . 12

CHƯƠNG I TỔNG QUAN TÀI LIỆU 16
1.1 Năng lượng mặt trời - nguồn năng lượng của tương lai . 16
1.2 Hiệu ứng PV (PhotoVoltaic Effect) và linh kiện quang điện sử dụng hiệu ứng PV 19
1.3 Cơ sở vật lý của pin mặt trời 21
1.3.1 Nguyên lý hoạt động 21
1.3.2 Đặc trưng J-V 21
1.4 Pin mặt trời màng mỏng chalcopyrite . 29
1.4.1 Cấu trúc của pin mặt trời màng mỏng chalcopyrite 29
1.4.2 Vật liệu chalcopyrite . 30
1.5 Pin mặt trời màng mỏng cấu trúc nano . 32
1.5.1 Các tính chất cơ bản của vật liệu cấu trúc nano . 32
1.5.2 Giản đồ năng lượng của pin mặt trời cấu trúc nano 36

1.5.3 Các cấu hình pin mặt trời cấu trúc nano . 37
1.6 Vật liệu kẽm oxide (ZnO) 38
1.6.1 Vật liệu ZnO 38
1.6.2 Công nghệ lắng đọng các lớp chức năng của pin mặt trời . 41
Kết luận chương 45

CHƯƠNG 2 NGHIÊN CỨU CÔNG NGHỆ LẮNG ĐỌNG CÁC LỚP CHỨC NĂNG
TRONG CẤU TRÚC PMT MÀNG MỎNG . 46
2.1 Nghiên cứu lắng đọng màng nano ZnO bằng phương pháp USPD 47
2.1.1 Thực nghiệm . 47
2.1.1.1 Chuẩn bị hóa chất 47
2.1.1.2 Lắng đọng màng nano ZnO . 48
2.1.2 Kết quả và thảo luận . 48
2.1.2.1 Lựa chọn dung môi . 48
2.1.2.2 Ảnh hưởng của các anion . 53
2.1.2.3 Ảnh hưởng của nhiệt độ lắng đọng . 57
2.1.2.4 Ảnh hưởng của loại đế 62
2.1.2.5 Ảnh hưởng của tốc độ lắng đọng . 65 2
2.1.2.6 Ảnh hưởng của nồng độ muối kẽm . 67
2.1.2.7 Ảnh hưởng của sự pha tạp In và Al . 69
2.2 Nghiên cứu lắng đọng lớp hấp thụ CuInS2 bằng phương pháp USPD . 73
2.2.1 Chuẩn bị hóa chất . 73
2.2.2 Lắng đọng màng CuInS2 . 73
2.2.3 Kết quả và thảo luận . 74
2.3 Nghiên cứu lắng đọng lớp đệm CdS bằng phương pháp USPD-ILGAR . 78
2.3.1 Tại sao lại cần lớp đệm trong pin mặt trời màng mỏng 78
2.3.2 Màng CdS 78
2.3.3 Lắng đọng lớp đệm nano CdS bằng phương pháp USPD-ILGAR . 79
2.3.3.1 Chuẩn bị hóa chất 79
2.3.3.2 Thực nghiệm 79
2.3.4 Kết quả và Thảo luận . 79
CHƯƠNG 3 KHẢO SÁT CÁC PHÂN BIÊN ZnO/CdS VÀ CdS/CuInS2
BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHỔ TRỞ KHÁNG PHỨC CIS 84
3.1 Phương pháp phổ trở kháng phức CIS 84
3.2 Ứng dụng phương pháp phổ trở kháng phức để nghiên cứu các linh kiện cấu trúc lớp 86
3.3 Thực nghiệm 88
3.3.1 Chuẩn bị mẫu . 88
3.3.2 Khảo sát các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 . 88
3.4 Kết quả và thảo luận . 90
3.4.1 Khảo sát phổ CIS của hệ vật liệu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Ag 90
3.4.2 Mô hình hóa hệ vật liệu Ag/ITO/ZnO/CdS/CuInS2/Ag 90
Kết luận chương . 100

CHƯƠNG 4 THIẾT KẾ VÀ CHẾ TẠO THỬ NGHIỆM PIN MẶT TRỜI CẤU TRÚC NANO HỆ GLASS/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2 . 101
4.1 Thiết kế pin mặt trời cấu trúc lớp kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me 101
4.1.1 Mô hình số .101
4.1.2 Chương trình mô phỏng SCAPS
4.1.3 Thiết kế pin mặt trời màng mỏng cấu trúc nano 104
4.1.3.1 Lựa chọn cấu trúc 104
4.2 Chế tạo pin mặt trời màng mỏng cấu trúc Glass/ ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me 113

4.2.1 Đặc trưng quang điện của pin mặt trời màng mỏng hệ Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2 . 115
4.2.1.1 Ảnh hưởng của chiều dày lớp hấp thụ CuInS2 . 115
4.2.1.2 Ảnh hưởng của lớp cửa sổ nano ZnO . 118 3
Kết luận chương . 119
KẾT LUẬN 121
TÀI LIỆU THAM KHẢO 122
Danh mục các công trình đã công bố của Luận án . 134
Phụ lục 134
MỞ ĐẦU
Theo thông báo của Cơ quan Thông tin Năng lượng (EIA) của Bộ Năng lượng Mỹ trong “Outlook Năng lượng Quốc tế” năm 2013 thì trong khoảng từ năm 2010 đến 2040 mức tiêu thụ năng lượng thế giới dự kiến tăng 56%. Thật vậy, hiện nay nhân loại đang đối diện trước ba “thách thức năng lượng” to lớn:
1) Sự cạn kiệt nhanh chóng các nguồn nhiên liệu hóa thạch
2) Sự biến đổi theo chiều hướng xấu của khí hậu toàn cầu
3) Nhu cầu sử dụng các dạng năng lượng ngày càng tăng

Các thách thức kể trên đều có nguyên nhân từ con người, mà trong đó nguyên nhân sự biến đổi khí hậu chính là sự gia tăng nhanh khí nhà kính trong khí quyển (CO2) do nhiên liệu hóa thạch bị đốt cháy [1],[2]–[4]. Có thể thấy rằng, vấn đề an ninh năng lượng đang trở nên nóng bỏng hơn bao giờ hết và đây chính là vấn đề mang tính cấp thiết trong bối cảnh cả thế giới đứng trước bài toán hết sức khó khăn là tìm kiếm các nguồn năng lượng bền vững, thân thiện với môi trường để thay thế cho các nguồn năng lượng truyền thống đang dần cạn kiệt. Trong bối cảnh này, việc nghiên cứu sử dụng các dạng năng lượng tái tạo đang nhận được sự quan tâm đặc biệt của các nhà khoa học và nhiều quốc gia trên thế giới [4]–[9]. Theo trích dẫn báo cáo mới nhất của IPCC [10] ước tính: “Gần 80% nhu cầu tiêu thụ năng lượng trên thế giới có thể được đáp ứng bằng năng lượng tái tạo vào giữa thế kỷ này nếu các chính phủ áp dụng hiệu quả những chính sách khuyến khích sử dụng năng lượng sạch”. Báo cáo của IPCC cũng cho biết, việc chuyển sang sử dụng các nguồn năng lượng sạch sẽ giúp giảm đáng kể lượng khí thải gây hiệu ứng nhà kính - một trong những nguyên nhân hàng đầu làm biến đổi khí hậu, dẫn tới sự gia tăng lũ lụt, hạn hán và mực nước biển dâng. Tại Việt Nam, năng lượng tái tạo cũng được sự quan tâm to lớn của Chính phủ. Tại hội thảo quốc tế “Điện mặt trời công nghiệp: Từ sản xuất đến khai thác hiệu quả”, Phó thủ tướng Hoàng Trung Hải đã khẳng định: “Năng lượng hiện nay đã trở thành vấn đề thời sự, là yếu tố quan trọng quyết định đến sự ổn định và phát triển kinh tế - xã hội của quốc gia. Trước dự báo đến năm 2015 nước ta sẽ bắt đầu phải nhập khẩu năng lượng thì bài toán năng lượng càng trở lên quan trọng và cấp bách hơn bao giờ hết .", "việc phát triển nguồn năng lượng mới, trong đó có điện mặt trời khi năng lượng hóa thạch đang dần cạn kiệt là mục tiêu quan trọng .” và “việc phát triển điện mặt trời ở Việt Nam sẽ góp phần hoàn thành mục tiêu sử dụng năng lượng tái tạo chương trình điện khí hóa nông thôn của Chính phủ”. Tất cả những điều trên cho thấy năng lượng tái tạo, đặc biệt là năng lượng mặt trời đang nhận được sự quan tâm vô cùng to lớn của toàn xã hội và hy vọng có thể là đáp án góp phần giải quyết vấn đề năng lượng cho con người trong tương lai. Có thể nói, năng lượng mặt trời bắt đầu phát triển và hiện nay đang trên đà trưởng thành, mặc dù giá thành vẫn còn đắt hơn nhiều so với các nguồn năng lượng truyền thống. Rõ ràng là, để thực hiện một sự thay đổi quyết định trong việc nâng cao hiệu suất, giảm giá thành và đa dạng hóa các ứng dụng, lĩnh vực năng lượng mặt trời cần đầu tư nhân lực, công nghệ và tài chính đáng kể.
Nhiều chuyên gia trong lĩnh vực năng lượng mặt trời có cách nhìn rất lạc quan về tương lai của năng lượng mặt trời. Thực tế cho thấy, sự phát triển của pin mặt trời trong những 13
năm gần đây bắt đầu cạnh tranh với năng lượng gió và địa nhiệt. Nhiều dự đoán cho rằng, công suất năng lượng mặt trời toàn cầu có thể đạt 400¸800 GW sớm nhất là năm 2020. Và đến năm 2050, công suất năng lượng mặt trời toàn cầu có thể đạt 8000 GW [6]. Hiện nay, châu Âu chiếm 75% thị phần pin mặt trời trên toàn cầu. Tuy nhiên, một số chuyên gia tin rằng điều này sẽ thay đổi trước năm 2020 với thị phần của châu Âu sẽ giảm xuống dưới 50% và phần còn lại sẽ do Trung Quốc, Nhật Bản, và các nước châu Á khác chi phối. Một loạt các yếu tố đã góp phần giảm giá thành năng lượng mặt trời như: khả năng lắng đọng các màng mỏng trên diện tích lớn, khả năng tự động hóa công nghệ, khả năng tăng hiệu suất quang điện, Ngoài ra, các chuyên gia đã đưa ra các hướng sau đây để có thể giảm giá thành điện mặt trời hơn nữa, đó là:
1) Tăng hiệu suất chuyển đổi quang điện các tế bào mặt trời. Cụ thể là với pin mặt trời silicon hiệu suất quang điện h phải đạt 20†24% và đối với các pin mặt trời màng mỏng h phải đạt 15% vào năm 2020.
2) Ứng dụng nhiều hơn và đa dạng hơn các pin mặt trời màng mỏng.
3) Đưa vào ứng dụng các loại pin mặt trời trên cơ sở các vật liệu mới như pin mặt trời nhuộm màu, pin mặt trời hữu cơ v.v
4) Nghiên cứu sử dụng các vật liệu mới trong chế tạo pin mặt trời.

Như vậy có thể thấy, một trong các vấn đề thu hút sự quan tâm hết sức to lớn trên thế giới và ở Việt Nam là nghiên cứu công nghệ chế tạo pin mặt trời và ứng dụng pin mặt trời màng mỏng. Đây thực sự là vấn đề thời sự và bức thiết nhằm góp phần giải quyết bài toán an ninh năng lượng, đặc biệt là hướng nghiên cứu pin mặt trời màng mỏng giá rẻ, hiệu suất cao và thân thiện với môi trường không sử dụng công nghệ chân không. Đây cũng là cơ sở để chúng tôi lựa chọn nội dung nghiên cứu của bản luận án này. Tên đề tài luận án: “Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp chức năng nano ZnO đến hoạt động của pin mặt trời màng mỏng glass/TCO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me lắng đọng bằng phương pháp USPD-ILGAR’’ Mục đích nghiên cứu của luận án
1) Nghiên cứu và phát triển công nghệ lắng đọng không chân không:
· Phương pháp phun phủ nhiệt phân hỗ trợ siêu âm USPD
· Phương pháp phun phủ nhiệt phân hỗ trợ siêu âm-phản ứng pha khí lớp ion USPD-ILGAR
2) Nghiên cứu lắng đọng lớp cửa sổ nanoZnO, nanoZnO:In, nanoZnO:Al, bằng phương pháp phun phủ nhiệt phân hỗ trợ siêu âm USPD để xác định quy trình công nghệ phù hợp.
3) Nghiên cứu lắng đọng lớp hấp thụ CuInS2 bằng phương pháp USPD để xác định quy trình công nghệ phù hợp
4) Nghiên cứu lắng đọng lớp đệm CdS bằng phương pháp USPD-ILGAR để xác định quy trình công nghệ phù hợp
5) Khảo sát ảnh hưởng của các thông số công nghệ lắng đọng tới tính chất của các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS
6) Ứng dụng phần mềm SCAPS-1D để thiết kế pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me
7) Nghiên cứu chế tạo thử nghiệm pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me bằng phương pháp USPD-ILGAR

Đối tượng và phạm vi nghiên cứu của luận án
1) Nghiên cứu lắng đọng các lớp cửa sổ nanoZnO, nanoZnO:In, nanoZnO:Al, bằng phương pháp USPD. Nghiên cứu cấu trúc và tính chất quang - điện của các màng lắng đọng khi thay đổi các thông số như tỉ lệ dung môi, loại đế sử dụng, nhiệt độ lắng đọng TS, nguồn muối kẽm .
2) Nghiên cứu lắng đọng lớp hấp thụ CuInS2 bằng phương pháp USPD. Khảo sát cấu trúc và tính chất quang - điện của các màng lắng đọng với chiều dày thay đổi
3) Nghiên cứu lắng đọng lớp đệm CdS bằng phương pháp USPD-ILGAR. Khảo sát cấu trúc và tính chất quang - điện của các màng lắng đọng với chiều dày thay đổi
4) Khảo sát ảnh hưởng của các thông số lắng đọng tới tính chất của các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS
5) Mô phỏng pin mặt trời màng mỏng cấu trúc kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me bằng phần mềm SCAPS-1D. Khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ làm việc, chiều dày lớp hấp thụ và chiều dày lớp đệm đến các thông số quang điện của pin mặt trời. Xác định các thông số tối ưu như chiều dày lớp hấp thụ và chiều dày lớp đệm nhằm điều chỉnh các thực nghiệm chế tạo pin mặt trời.
6) Nghiên cứu chế tạo thử nghiệm pin mặt trời màng mỏng cấu trúc kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me bằng phương pháp USPD-ILGAR

Phương pháp nghiên cứu Trong công trình này, chúng tôi đã sử dụng phương pháp nghiên cứu thực nghiệm kết hợp với các đoán nhận lý thuyết và phương pháp mô phỏng bằng phần mềm Zview 3.0 và SCAPS-1D. Tất cả các mẫu nghiên cứu trong luận án là các mẫu do chúng tôi tự chế tạo trên các hệ thực nghiệm do chúng tôi xây dựng và phát triển. Các phương pháp lắng đọng bao gồm phương pháp USPD và phương pháp USPD-ILGAR. Chất lượng các mẫu được khảo sát bằng phương pháp nhiễu xạ tia X, phổ tán xạ Raman, hiển vi điện tử quét và hiển vi lực nguyên tử. Hệ số hấp thụ và độ rộng vùng cấm quang được xác định trên cơ sở phổ truyền qua UV-VIS. Tính chất điện của mẫu được khảo sát bằng phương pháp hiệu ứng Hall và đặc trưng J-V. Đặc trưng J-V sáng của pin mặt trời được khảo sát ở điều kiện AM1.5 trên hệ đo Keithley 4200-SCS. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án Ý nghĩa khoa học
1) Nghiên cứu vật lý và công nghệ lắng đọng các lớp chức năng của pin mặt trời màng mỏng cấu trúc kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me bằng phương pháp USPD-ILGAR
2) Lần đầu tiên đã xác định được quy trình công nghệ để lắng đọng các lớp chức năng trong cấu trúc pin mặt trời màng mỏng bằng phương pháp USPD-ILGAR.
3) Lần đầu tiên đã sử dụng phương pháp phổ trở kháng phức CIS để khảo sát các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 trong cấu trúc pin mặt trời màng mỏng. Kết quả nghiên cứu này cho phép đánh giá một cách định tính tính đồng nhất của các chuyển tiếp ZnO/CdS và CdS/CuInS2 và công nghệ lắng đọng chúng.
4) Cấu trúc nano của lớp cửa sổ ZnO đã ảnh hưởng rõ rệt đến hoạt động và góp phần gia tăng hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin măt trời màng mỏng.
5) Các pin mặt trời màng mỏng kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me cấu trúc đảo có hiệu suất chuyển đổi quang điện đạt ƞ= 1.84%. Đây là giá trị tương đương các kết quả đã công bố quốc tế trong thời gian gần đây.

Ý nghĩa thực tiễn
1) Kết quả nghiên cứu công nghệ USPD-ILGAR cho phép ứng dụng công nghệ này để lắng đọng các lớp chức năng trong các cấu trúc pin mặt trời màng mỏng khác nhau.
2) Công nghệ USPD-ILGAR cho phép mở ra khả năng ứng dụng một phương pháp công nghệ đơn giản, rẻ tiền để chế tạo pin mặt trời có giá thành thấp.
3) Cấu trúc pin mặt trời đảo kiểu Glass/ITO/nanoZnO/CdS/CuInS2/Me là cấu trúc có thể sử dụng trong điều kiện nhiệt đới nóng ẩm.

Kết cấu của luận án Ngoài phần “Mở đầu”, “Kết luận”, “Danh mục các ký hiệu và chữ viết tắt”, “Danh mục các bảng”, “Danh mục các hình ảnh và hình vẽ”, “Danh mục các công trình đã công bố của Luận án” và “Tài liệu tham khảo”, nội dung Luận án được trình bày trong 4 chương như sau: Chương 1: Tổng quan tài liệu Chương 2: Nghiên cứu công nghệ lắng đọng các lớp chức năng trong cấu trúc pin mặt trời màng mỏng Chương 3: Khảo sát các phân biên ZnO/CdS và CdS/CuInS2 bằng phương pháp phổ trở kháng phức CIS Chương 4: Thiết kế và chế tạo thử nghiệm pin mặt trời màng mỏng cấu trúc kiểu Glass/ITO/ nanoZnO/CdS/CuInS2/Me