Pin mặt trời loại màng mỏng CuIn1-xGaxSe2 là một loại pin thế hệ mới với rất nhiều đặc tính ưu việt. Mô phỏng hiệu năng hoạt động của một pin mặt trời loại này đã được thực hiện sử dụng chương trình AMPS-1D. Ảnh hưởng của các tham số đầu vào quan trọng nhất bao gồm hệ số phản xạ bề mặt, độ dầy lớp hấp thụ, độ rộng vùng cấm chất hấp thụ và độ chênh lệch đáy vùng dẫn tại mặt tiếp xúc các lớp lên hiệu năng hoạt động của pin đã được khảo sát và thảo luận. Giá trị của hơn bốn mươi tham số khác được chọn từ các kết quả thực nghiệm hoặc các giả thiết thích hợp. Dựa trên kết quả mô phỏng, chúng tôi đưa ra cấu hình tối ưu của pin với các thông số cơ bản về hiệu năng hoat động như sau: dòng đoản mach Jsc = 30,19 A/cm2; thế hở mạch Voc = 0,67 V; hệ số lấp đầy ff = 0,83 và hệ số chuyển đổi năng lượng η = 17,6 %.
