Luận Văn luận văn tốt nghiệp ĐHSP: mặt cực tiểu và mặt cực tiểu diện tích trong không gian R3 với mật độ e mủ

Thảo luận trong 'Toán Học' bắt đầu bởi Thúy Viết Bài, 5/12/13.

  1. Thúy Viết Bài

    Thúy Viết Bài New Member
    Thành viên vàng

    Bài viết:
    198,891
    Được thích:
    167
    Điểm thành tích:
    0
    Xu:
    0Xu
    #1 Thúy Viết Bài, 5/12/13
    Đây là khóa luận tốt nghiệp ĐHSP :mặt cực tiểu và mặt cực tiểu diện tích trong không gian R3 với mật độ e mủ r2

    Nội dung:

    I. mặt cực tiểu trong không gian R3 với mật độ e mủ r2

    II. mặt cực tiểu diện tích trong không gian R3

    III, mặt cực tiểu diện tích trong không gian R3 với mật độ e mủ r2
     

    Các file đính kèm:

Đang tải...
Chủ đề tương tự
  1. Thúy Viết Bài

    Luận Văn luận văn tốt nghiệp Toán học

    Thúy Viết Bài, 5/12/13, trong diễn đàn: Toán Học
    Trả lời:
    0
    Xem:
    234
    Thúy Viết Bài
    5/12/13
  2. Thúy Viết Bài

    Luận Văn luận văn tốt nghiệp ĐHSP: Một số tính chất hàm lồi và ứng dụng

    Thúy Viết Bài, 5/12/13, trong diễn đàn: Toán Học
    Trả lời:
    0
    Xem:
    434
    Thúy Viết Bài
    5/12/13
  3. Thúy Viết Bài

    Luận Văn luận văn tốt nghiệp ĐHSP cấu trúc đa tạp RIEMANN của nửa không gian trên

    Thúy Viết Bài, 5/12/13, trong diễn đàn: Toán Học
    Trả lời:
    0
    Xem:
    431
    Thúy Viết Bài
    5/12/13
  4. Thúy Viết Bài

    Luận Văn luận văn tốt nghiệp ĐHSP: sử dụng phần mềm GSP để thiết kế bài giảng một số nội dung dạy học về khối

    Thúy Viết Bài, 5/12/13, trong diễn đàn: Toán Học
    Trả lời:
    0
    Xem:
    666
    Thúy Viết Bài
    5/12/13
  5. Thúy Viết Bài

    Luận Văn luận văn tốt nghiệp ĐHSP: Định lý OSOFSKY cho vành nửa đơn

    Thúy Viết Bài, 5/12/13, trong diễn đàn: Toán Học
    Trả lời:
    0
    Xem:
    351
    Thúy Viết Bài
    5/12/13