Đồ Án Khóa luận tốt nghiệp Chế tạo hình dạng linh kiện OLED bằng phương pháp photolithography

Đề tài: Khóa luận tốt nghiệp : Chế tạo hình dạng linh kiện OLED bằng phương pháp photolithography

Diode phát quang hữu cơ hay còn gọi là OLED là linh kiện điện phát quang (EL) sử dụng vật liệu hữu cơ àm nhiệm vụ phát ánh sáng, vật liệu hữu cơ phát quang đã được nghiên cứu từ những năm 50 của thể kỉ 20 và cấu trúc hoàn chỉnh đầu tiên của OLED được được C.L.Tang công bố năm 1987 [1]. Trải qua hơn nữa thế kỉ phát triển cấu trúc OLED ngày càng tinh vi hơn và đòi hỏi độ chính xác cao trong công việc thiết kế linh kiện. Việc vi mô hóa linh kiện điện tử không chỉ diễn ra đối với OLED nó xảy ra với hầu hết mọi linh kiện điện tử như chip xử lý trong CPU máy tính, bo mạch chủ Chính vì thế mà kĩ thuật tạo hình dạng vi mô cũng được phát triển mạnh mẽ trong thời gian này nổi bật trong sốđó à kĩ thuật Photolithography, Photo ithography ra đời từ rất sớm có nền tảng từ thuật in thạch bản (lithography) và được ứng dụng rộng rãi cho đến ngày nayMục LụcLỜI CẢM ƠN iDANH MỤC HÌNH iiDANH MỤC BẢNG vDANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT viMục ục . 1A.Lý thyết tổng quan 4I.OLEDs và photolithography 5I.1.Giới thiệu chung 5I.2.Tổng quan về Photolithography . 6I.3.Quá trình photolithography 8I.3.1 Sấy khử nước . 8I.3.2.Tạo màng PR trên bề mặt đế 10I.3.3.Tiền xử lý nhiệt màng PR trước khi chiếu UV 12I.3.4.Chiếu UV đế sau khi đã được xử lý nhiệt 13I.3.4.1. Mask . 13I.3.4.1.1. Vật liệu tạo mask 13I.3.4.1.2. Bản thiết kế . 14I.3.4.1.3. Dấu căn chỉnh . 14I.3.4.1.4. Mask vùng tối và mask vùng sáng . 15I.3.4.2. Chiếu UV đế 16I.3.5. Development-Hình thành hình dáng mẫu trên bề mặt đế . 17 2 Khóa luận tốt nghiệp Đại học 8-2010I.3.6.Hard baking-Hậu xử lý nhiệt màng PR . 18II.OLEDs và kĩ thuật đóng gói OLED 18II.1.Giới thiệu chung 18II.2.Cấu trúc cơ bản của OLEDs . 19II.2.1Cấu trúc đơn ớp 19II.2.2 Cấu trúc đa ớp . 20II.3.Cơ chế hoạt động của OLED 21II.3.1.Sự phun hạt tải 21II.3.2 Sự truyền hạt tải 24II.3.3. Sự hình thành Exciton . 24II.4.Hiệu suất của OLED . 26II.4.1.Hiệu suất ượng tử 26II.4.2.Hiệu suất phát quang 29II.5.Độ bền của OLED . 30II.5.1.Sự hình thành và phát triển của điểm tối 30II.5.2.Sự khuếch tán của kim loại 31II.5.3.Sự suy giảm hóa học của thành phần bên trong lớp hữu cơ . 31II.5.4.Sự kết tinh của vật liệu hữu cơ . 31II.6.Đóng gói OLED 32II.6.1.Ảnh hưởng của Oxy và hơi nước đến tuổi thọ OLED . 32II.6.2.Các phương pháp đóng gói OLED . 32II.6.2.1.Phương pháp đóng gói truyền thống . 32 3 Khóa luận tốt nghiệp Đại học 8-2010II.6.2.2.Phương pháp đóng gói bằng màng SiNx . 35II.6.2.2.1.Tóm ược 36II.6.2.2.2.Thí nghiệm . 36II.6.2.2.3.Kết quả và bàn luận 37II.6.3.Phương pháp kiểm tra độ kín nước của lớp màng đóng gói 40B.Thực nghiệm . 41III.Xây dựng hệ photolithography 42 III.1.Phòng Photolithography 43III.2.Hệ Spin coating . 44III.3.Hệ ủ nhiệt . 46III.4.Đèn UV 47III.5.Bộ phận giữ và điều chỉnh mẫu . 49III.6. Bộ phận quan sát mẫu . 50IV.Quy trình khảo sát sự hấp thụ hơi nước trong đóng gói 52V.Kết quả và bàn luận 56V.1.Khảo sát các quy tr nh trong chu tr nh photo ithoraphy . 56V.1.1.Những vấn đề gặp phải trong quá tr nh Photo ithography . 58V.1.2 Áp dụng Photolithography tạo hình dạng trên bề mặt đế ITO . 60V.2.Khảo sát sự hấp thụ của hơi nước trong đóng gói 63KẾT LUẬT . 68HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA ĐỀ TÀI 69TÀI LIỆU THAM KHẢO . 70