Thạc Sĩ Developments of Si and CdTe Semiconductor Imaging Detectors for a Compton Camera

Thảo luận trong 'THẠC SĨ - TIẾN SĨ' bắt đầu bởi Phí Lan Dương, 26/11/13.

  1. Phí Lan Dương

    Phí Lan Dương New Member
    Thành viên vàng

    Bài viết:
    18,524
    Được thích:
    18
    Điểm thành tích:
    0
    Xu:
    0Xu
    Concept of the Si/CdTe Compton Camera
    Si -> Scatterer, CdTe->Absorber
    Si(Z=14)
    Low Photo Abs.
    High Compton Scattering
    CdTe(Z=48, 52 ρ~5.8 g/cm
    3
    )
    High Photo Abs.
    High Energy Resolution
    Low Energy Threshold
    Good Position Resolution
    several 10 keV — MeV Gamma-rays
    DSSD(double-sided Silicon strip
    detector) 20-30 layers
    CdTe Pixel Detectors
    Symmetrically Placed
    4-5 cm
    NeXT mission (JAXA, 201?)