Đồ Án Chế tạo nguồn xung lưỡng cực cho thí nghiệm công nghệ mạ mới

Thảo luận trong 'Điện - Điện Tử' bắt đầu bởi Thúy Viết Bài, 5/12/13.

  1. Thúy Viết Bài

    Thành viên vàng

    Bài viết:
    198,891
    Được thích:
    170
    Điểm thành tích:
    0
    Xu:
    0Xu
    TÓM TẮT NỘI DUNG KHOÁ LUẬN

    Nghiên cứu giải pháp kỹ thuật và lựa chọn phương án thiết kế

    để chế tạo thiết bị: “ Nguồn xung lưỡng cực cho thí nghiệm công nghệ mạ mới”

    Các công việc chính được thực hiện là:

    1. Thiết kế bộ phát xung vuông có tần số và độ rộng thay đổi được

    - Khảo sát một số nguyên lý tạo xung

    - Tìm hiểu IC LM3524 và thiết kế máy phát xung dùng IC này

    2. Thiết kế tầng đệm công suất và tầng công suất nhằm tạo xung công xuất lưỡng cực

    lối ra

    - Khảo sát các linh kiện đóng mở cho nguồn một chiều: Như Tranzito, Tranzito

    MOSFET, GTO, IGBT.

    - Lựa chọn phương án dùng MOSFET làm công suất.

    3. Thiết kế nguồn ổn áp một chiều điện áp ra biến đổi được từ 0V đến ± Ura max

    - Khảo sát nguyên tắc ổn áp cổ điển và ổn áp xung.

    - Tìm hiểu IC ổn áp LM317 và thiết kế nguồn ổn áp dựa trên nó.

    4. Những việc bổ trợ cần thiết cho việc chế tạo hoàn chỉnh một thiết bị thí nghiệm

    - Các mạch đo, chỉ thị điện áp, dòng, tần số. Đặc biệt có tính đến phần cơ khí

    vỏ máy, lắp ráp và tiện lợi cho người sử dụng.

    5. Kết quả

    - Về thiết bị và các ứng dụng.
     

    Các file đính kèm:

Đang tải...