Luận Văn Chế tạo màng mỏng ZnO trên đế Si có lớp Ti đệm

Thảo luận trong 'Vật Lý' bắt đầu bởi Thúy Viết Bài, 5/12/13.

  1. Thúy Viết Bài

    Thành viên vàng

    Bài viết:
    198,891
    Được thích:
    170
    Điểm thành tích:
    0
    Xu:
    0Xu
    Chương I – Tổng quan
    1.1.Màng mỏng ZnO trên đế Si có lớp Ti đệm
    1.1.1.Giới thiệu
    1.1.2.Tác dụng đệm của Ti lên màng ZnO trên Si
    1.1.3.Ứng dụng
    1.1.4.Ưu điểm của ZnO
    1.2.Tạo màng bằng phương pháp phún xạ MAGNETRON DC
    1.2.1.Cơ chế vật lí của phún xạ
    1.2.2.Hiệu suất phún xạ
    1.2.3.Cấu tạo hệ phún xạ
    1.2.4.Kĩ thuật phún xạ
    1.2.5.Đặt trưng của phún xạ
    1.3.Quá trình tạo bia gốm ZnO
    1.4.Phép đo hall xác định đặt tính điện
    1.5.Phương pháp bốn đấu dò xác định đặt tính điện
    1.6.Tính chất điện
    1.7.Đặt tính quang
    1.8. Cấu trúc ZnO
    Chương II – Thực nghiệm và kết quả bàn luận
    2.1.Chế tạo bia gốm ZnO
    2.1.1.Chuẩn bị vật liệu bột Oxit
    2.1.2.Nghiền trộn bột Oxit
    2.1.3.Định hình bia ZnO
    2.1.4.Nung bia ZnO
    2.2.Bia kim loại Ti
    2.3.Làm sạch lam thủy tinh và Silic
    2.4.Các bước trong quá trình phún xạ
    2.5.Môi trường chế tạo màng mỏng ZnO/Si và ZnO/Ti/Si
    2.6.Kết quả và thảo luận
    2.6.1.Chế tạo màng ZnO trên đế thủy tinh
    2.6.2.Chế tạo màng ZnO trên đế Si (111) và (100)
    2.6.3.Chế tạo màng ZnO trên đế silic có lớp đệm Ti
    Chương III – Kết luận – hướng phát triển
    Tài liệu tham khảo
    Phụ lục
     

    Các file đính kèm:

Đang tải...